3D 拆解
3D 模型
講解影片
開始 3D 檢視
861 KB
影片旁白為 AI 語音，畫面是自製 3D 示意，沒有實拍。配樂：Incredulity by Scott Buckley,released under CC-BY 4.0,www.scottbuckley.com.au
半導體與資訊
運轉動畫
透視
拆解
零件抽出
流向
EUV 極紫外光微影機
先進晶片靠它把電路印上晶圓。光從雷射打中錫滴開始，一路被反射鏡送到晶圓上。
自製示意模型
這是依公開資料自製的示意模型，用來理解原理，不是原廠結構，比例和細節都經過簡化，不能當成製造或維修的依據。
它怎麼運作
高功率雷射打中高速落下的錫滴，產生電漿並放出波長 13.5 奈米的極紫外光。這種光會被空氣和玻璃吸收，所以機器內是真空，光路全部使用多層膜反射鏡。光經過照明系統打到光罩，再由投影光學縮小成像到晶圓上，同時晶圓台和光罩台要高速同步掃描。
重要零件
全機 42 個零件，點一下就從機器裡抽出來
聚光鏡本體
約 70% 反射
中間開孔讓雷射穿過。
鉬矽多層膜
40 到 50 對
鏡面由鉬和硅交替堆疊。每層只有幾納米,靠層與層的干涉把光反射回來。
錫滴發射器
每秒 5 萬顆
噴出錫滴,每秒可達五萬顆。
場鏡面陣列
把光變均勻
由許多小鏡片拼成,把光切成很多束再疊在一起,光就變均勻了。
光罩
放大 4 倍
EUV 光罩不是透光,而是反射。圖樣由吸收層畫在多層膜上。
光罩載台
超過 20 G
帶著光罩加速、掃描、反向。
投影鏡 1
約 0.1 mm(放大後)
鏡面放大成德國那麼大時,最高的凸起只有約 0.1 毫米。
硅晶圓
約 1 nm 對準
上面排滿等待曝光的芯片。
閘極
晶體管的開關
跨在鰭片上的開關,決定電流通不通。
規格
機型參考
NXE:3800E
官方
波長
13.5 nm
官方
EUV 光源功率
超過 500 W
官方
產能
220 片/小時
官方
縮小倍率
4 倍
估算
投影鏡
6 面
估算
運轉時的消耗
整機耗電
1.26 MW
官方
每片晶圓一次曝光
5.5 kWh
官方
錫滴
每秒 50,000 顆
官方
電力變成 EUV 光
約 0.04%
自算
鏡面總反射
約 4%
自算
到達晶圓的 EUV 光
約 20 W
估算
電漿溫度
約 22 萬度
估算
電力變成 EUV 光的比例用 500 W ÷ 1.26 MW 算出。鏡面總反射用單面 70%、九次反射算出,到達晶圓的光再乘上 500 W。電漿溫度與光罩加速度待找一手來源。
資料來源：
ASML 2025 年報
、
ASML:EUV 光刻系統
、
SPIE:500 W EUV 光源論文
、
ASML 2024 年報
、本片查核表
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